华虹半导体(无锡)有限公司向磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111509018.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法是由向磊;江晨;王会一设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法，其包括以下步骤：步骤一，采用低选择比气体进行部分刻蚀；步骤二，对于字线上方和控制栅极多晶硅层上方的氧化物两个区域，应调整刻蚀时间以便权衡两者氧化物保持的平衡点；步骤三，把控制栅极多晶硅层上方氧化物作为硬掩模，完全刻蚀掉字线多晶硅，形成一道凹槽；步骤四，进一步多晶硅对氧化物的选择比，降低刻蚀率，清除步骤三中可能残留的多晶硅剩余物。本发明增大了浮栅之间间隙，极大扩大了光刻工艺窗口。
本发明授权闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件存储单元区控制门触点的刻蚀方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，形成控制栅通孔光刻层，所述控制栅通孔光刻层增加一道光罩，把需要连接控制栅触点的地方的字线全部刻蚀掉； 步骤二，采用低选择比气体进行部分刻蚀； 步骤三，对于字线上方和控制栅极多晶硅层上方的氧化物两个区域，应调整刻蚀时间以便权衡两者氧化物保持的平衡点； 步骤四，把控制栅极多晶硅层上方氧化物作为硬掩模，完全刻蚀掉字线多晶硅，形成一道凹槽； 步骤五，进一步多晶硅对氧化物的选择比，降低刻蚀率，清除步骤三中可能残留的多晶硅剩余物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励