中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司呼翔获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061139.9，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由呼翔设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和分立于所述衬底上的沟道结构、以及位于所述沟道结构侧部的衬底上的覆盖层；形成贯穿相邻所述沟道结构之间的覆盖层的开口，所述开口的底部暴露出所述衬底；在所述开口底部的衬底顶面形成导电层，用于作为电阻结构。本发明实施例将电阻结构制作在相邻所述沟道结构之间的衬底顶面，不但将电阻结构从中段或后段的金属层间介质层中解放出来，相应能够降低金属互连线和导电插塞的高度，从而得到优化的中段RC电阻电容，进而优化了半导体结构的性能，而且通过使电阻结构形成在相邻所述沟道结构之间的衬底顶面，还能够减小HiR电路的面积，相应满足器件尺寸微缩的需求。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底和分立于所述衬底上的沟道结构、以及位于所述沟道结构侧部的衬底上的覆盖层； 形成贯穿相邻所述沟道结构之间的覆盖层的开口，所述开口的底部暴露出所述衬底； 在所述开口底部的衬底顶面形成导电层，用于作为电阻结构；其中，所述导电层为利用自对准金属硅化物工艺形成，所述导电层的材料为金属硅化物材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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