华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488962.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。将高电子迁移率晶体管外延片中的高阻层改变为复合高阻层，且复合高阻层包括依次层叠的第一AlGaN子层、AlN子层、InGaN子层、第二AlGaN子层，第一AlGaN子层与第二AlGaN子层均掺杂有碳。降低杂质及二维电子气导致的漏电的可能性。AlN子层与InGaN子层，阻挡了来自衬底的杂质及二维电子气的扩散，能提高沟道层晶体质量，又能降低AlGaN缓冲层漏电，高阻效果及高电子迁移率晶体管的性能与可靠性也得到提高。
本发明授权改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述改善高阻层的高电子迁移率晶体管外延片包括硅衬底以及依次层叠在所述硅衬底上的AlN层、AlGaN缓冲层、复合高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层， 所述复合高阻层包括依次层叠的第一AlGaN子层、AlN子层、InGaN子层、第二AlGaN子层，所述第一AlGaN子层与所述第二AlGaN子层均掺杂有碳； 所述复合高阻层整体的厚度为0.8～2微米； 所述AlN子层的厚度与所述InGaN子层的厚度均小于所述第二AlGaN子层的厚度； 所述AlN子层的厚度与所述InGaN子层的厚度均小于所述第一AlGaN子层的厚度； 所述AlN子层的厚度的范围与所述InGaN子层的厚度的范围均为50～100nm； 所述GaN沟道层的厚度为100～400nm。
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