长江存储科技有限责任公司颜丙杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123979.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权晶体管及其制备方法是由颜丙杰;谢景涛设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶体管及其制备方法。制备晶体管的方法包括：去除半导体层的一部分形成鳍结构；使所述鳍结构的表层形成第一闸绝缘层；对所述第一闸绝缘层进行处理，使其转化为第二闸绝缘层，其中，所述第二闸绝缘层的介电常数高于所述第一闸绝缘层的介电常数；以及在所述第二闸绝缘层的靠近所述鳍结构的一侧形成第三闸绝缘层。
本发明授权晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 形成鳍结构； 使所述鳍结构的表层形成第一闸绝缘层； 通过热处理工艺在含氮气氛环境中对所述第一闸绝缘层进行处理，使其转化为第二闸绝缘层，其中，所述第二闸绝缘层的介电常数高于所述第一闸绝缘层的介电常数；以及 在所述第二闸绝缘层的靠近所述鳍结构的一侧形成第三闸绝缘层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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