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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349195.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张钦福;程恩萍设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，从而使得所述第一隔离结构位置处的字线等部件可以有更大的伸展空间，加强了接触效果，提升了器件的电学性能。另外，所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，使得深度较深的所述第一隔离结构对其四周的有源图案的下部的支撑力增加，大大降低了有源图案倒塌的风险。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；其中，所述多行有源图案沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向不同于所述第一方向；任意相邻两行所述有源图案交错设置； 第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间； 第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间； 其中，所述第一隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离，大于所述第二隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离；奇数行的有源图案位置处的所述第一隔离结构的底部到所述衬底的上表面的垂直距离，大于偶数行的有源图案位置处的所述第一隔离结构的底部到所述衬底的上表面的垂直距离； 所述第二隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离，随着与最邻近的两所述第一隔离结构的沿所述第一方向的距离的减小而增加；所述第一隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离，随着与最邻近的两所述第二隔离结构的沿所述第一方向的距离的减小而减小。

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