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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含分层级堆叠的微电子装置及相关电子系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111548304.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权包含分层级堆叠的微电子装置及相关电子系统及方法是由福住嘉晃;藤木润;M·J·金;S·古普塔;P·泰萨里欧;K·什鲁蒂;白桂鉉;K·A·里特尔;田中秋二;U·M·梅奥托;R·J·希尔;M·霍兰设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含分层级堆叠的微电子装置及相关电子系统及方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及包含分层级堆叠的微电子装置以及相关电子系统及方法。一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置在层级中的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构划分为通过狭槽结构彼此分离的块结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述块结构，所述存储器单元串个别地包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；额外堆叠结构，其竖直上覆在所述堆叠结构上且包括布置在额外层级中的额外导电结构与额外绝缘结构的竖直序列；第一支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上，所述第一支柱中的每一者从对应存储器单元串的中心水平偏移；第二支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上；及额外狭槽结构，其包括介电材料，所述介电材料延伸穿过所述额外堆叠结构的至少一部分且将所述块结构中的每一者细分为子块结构，所述额外狭槽结构水平相邻于所述第一支柱。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。

本发明授权包含分层级堆叠的微电子装置及相关电子系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 堆叠结构，其包括布置在层级中的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构被划分为通过狭槽结构彼此分离的块结构； 存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述块结构，所述存储器单元串个别地包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料； 额外堆叠结构，其竖直上覆在所述堆叠结构上且包括布置在额外层级中的额外导电结构及额外绝缘结构的竖直序列； 第一支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上，所述第一支柱中的每一者从对应存储器单元串的中心水平偏移； 第二支柱，其延伸穿过所述额外堆叠结构且竖直上覆在所述存储器单元串上；及 额外狭槽结构，其包括介电材料，所述介电材料延伸穿过所述额外堆叠结构的至少一部分且将所述块结构中的每一者细分为子块结构，所述额外狭槽结构水平相邻于所述第一支柱，所述第一支柱中的一者与水平相邻于所述第一支柱中的所述一者的所述第二支柱中的一者之间的水平距离小于所述第二支柱中的所述一者与相邻于所述第二支柱中的所述一者的所述第二支柱中的额外一者之间的水平距离。

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