爱思开海力士有限公司黄盛炫获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110913579.0，技术领域涉及：G11C11/416；该发明授权半导体存储器装置及其操作方法是由黄盛炫;林主恩设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本技术涉及半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块；外围电路，其被配置为对多个存储块当中的被选存储块执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以在编程操作期间的编程电压施加操作和编程验证操作之间执行包括对被选存储块中包括的多个单元串的沟道进行升压的保持加速操作。
本发明授权半导体存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块； 外围电路，所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行包括多个编程循环的编程操作；以及 控制逻辑，所述控制逻辑： 基于先前编程循环的编程验证操作的结果，确定是否对当前编程循环执行保持加速操作，并且 控制所述外围电路以在所述当前编程循环的编程电压施加操作和编程验证操作之间执行包括对所述被选存储块中的多个单元串的沟道进行升压的所述保持加速操作。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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