美光科技公司A·法鲁辛获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210083285.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统是由A·法鲁辛;刘海涛;C·M·卡尔森设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统在说明书摘要公布了：本申请案涉及在层级堆叠下方的GIDL区附近具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包括按层级布置的绝缘结构及导电结构的垂直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料。所述掺杂材料的垂直延伸部在所述堆叠结构内的标高例如，在标高上接近或横向重叠至少一个源极侧GIDL区的标高处向上突出到与所述通道材料的界面。微电子装置结构可通过包含以下步驟的方法形成：形成通过所述支柱的单元材料的横向开口；使所述通道材料凹入以形成垂直凹部；及在所述垂直凹部中形成所述掺杂材料。还公开额外微电子装置，以及相关方法及电子系统。
本发明授权具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘结构及导电结构的垂直交替序列； 至少一个支柱，其延伸穿过所述堆叠结构，所述至少一个支柱包括横向包围通道材料的单元材料，所述通道材料相对于所述单元材料中的至少一者垂直凹入；及 源极区，其在所述堆叠结构下方，所述源极区包括掺杂材料，所述掺杂材料的垂直延伸部在所述堆叠结构内的一标高处向上突出到与所述通道材料的界面，且所述掺杂材料的所述垂直延伸部在标高上横向重叠所述堆叠结构的所述导电结构的最下导电结构的至少一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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