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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利结势垒肖特基二极管器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210635825.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权结势垒肖特基二极管器件及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本结势垒肖特基二极管器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种结势垒肖特基二极管及其制作方法，所述结势垒肖特基二极管包括：外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区；深沟槽，位于所述沟槽区的表面内；第一离子注入区，位于所述深沟槽的侧壁以及底部的表面内；肖特基区扩展结构，位于相邻两个所述深沟槽之间的功能区表面内，用于增大相邻两个所述深沟槽之间肖特基区的面积。本申请技术方案中，通过深沟槽可以增大第一离子注入区的注入深度，通过设置在两个深沟槽之间的肖特基区扩展结构，能够增大相邻两个深沟槽之间的肖特基区的面积。

本发明授权结势垒肖特基二极管器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种结势垒肖特基二极管器件，其特征在于，包括： 外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区； 深沟槽，位于所述沟槽区的表面内； 第一离子注入区，位于所述深沟槽的侧壁以及底部的表面内； 肖特基区扩展结构，所述肖特基区扩展结构在所述第一表面上的宽度小于所述深沟槽在所述第一表面上的开口宽度，位于相邻两个所述深沟槽之间的功能区表面内，用于增大相邻两个所述深沟槽之间肖特基区的面积； 所述肖特基区扩展结构包括：位于所述功能区表面内的第二离子注入区；其中，所述第二离子注入区的注入深度小于所述第一离子注入区的离子注入深度；所述第一离子注入区与所述第二离子注入区的掺杂类型相同，且与所述外延片的掺杂类型不同； 所述深沟槽为多级沟槽，所述多级沟槽包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；同一所述深沟槽中，相邻的两个子沟槽中，靠近所述深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离所述深沟槽底部的子沟槽的宽度； 所述功能区具有单级沟槽，所述单级沟槽的深度小于所述深沟槽的深度；其中，所述第二离子注入区位于所述单级沟槽的侧壁以及底部的表面内； 所述深沟槽中，与所述第一表面相邻的子沟槽为第一级子沟槽； 所述单级沟槽与所述第一级子沟槽的深度相同，所述单级沟槽与所述深沟槽的第一级子沟槽同时形成。

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