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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210464002.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法是由刘圣前;杨程;王毅设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。涉及半导体领域。包括设置于碳化硅衬底正面的外延层和背面的欧姆接触电极；所述欧姆接触电极上设有下金属层；还包括：P型掺杂区，所述P型掺杂区从外延层的顶部向下延伸；场氧一，所述场氧一设置在所述外延层的顶部；场氧二，所述场氧二设置在所述外延层的顶部，位于所述场氧一的侧部，正面金属接触电极，所述正面金属接触电极设置在所述P型掺杂区的上方，侧部与场氧一连接；上金属层，所述上金属层设置在所述正面金属接触电极的上方；本发明减小了器件表面受外来电荷或电场的影响，可以有效的保护器件耐压长期稳定性和可靠性。

本发明授权一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅肖特基二极管，包括设置于碳化硅衬底1正面的外延层2和背面的欧姆接触电极11；所述欧姆接触电极11上设有下金属层12；其特征在于，还包括： P型掺杂区3，所述P型掺杂区3从外延层2的顶部向下延伸；所述P型掺杂区3的掺杂杂质为Al，掺杂结深为0.4-1.0μm，截面呈若干间隔设置的矩形结构；所述P型掺杂区3通过离子注入形成，注入温度为400-600℃，注入后经1600-1900℃高温退火激活； 场氧一4，所述场氧一4设置在所述外延层2的顶部； 场氧二5，所述场氧二5设置在所述外延层2的顶部，位于所述场氧一4的侧部，厚度为0.5-2μm，与划片道13区域相适配且覆盖划片道13下方； 正面金属接触电极6，所述正面金属接触电极6设置在所述P型掺杂区3的上方，侧部与场氧一4连接； 上金属层7，所述上金属层7设置在所述正面金属接触电极6的上方； 钝化层，包括钝化层一8和钝化层二9；所述钝化层一8设置于上金属层7和场氧一4的上方，钝化层二9设置于场氧二5的上方；两层钝化层均由下而上依次包括半绝缘多晶硅层和氮化硅层，且分别完全包裹场氧一4、场氧二5的顶部及侧部，两层之间无间隙紧密贴合； PI胶10，所述PI胶10位于器件的顶部，并向下通过所述钝化层延伸至所述外延层2；所述PI胶10形成对器件终端区域的防水密封；所述PI胶10与器件侧部设有间距，形成划片道13； 场氧二5和钝化层二9覆盖在划片道区域下方。

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