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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利节点接触的电阻测量方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115128350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210871073.2，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权节点接触的电阻测量方法及设备是由姜焕德设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本节点接触的电阻测量方法及设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种节点接触的电阻测量方法及设备，该方法包括：从DRAM上确定至少三条通路，每条通路依次包括：第一部件、DRAM上晶体管的衬底以及第二部件，第一部件为DRAM的第一主体，第二部件为DRAM的节点接触或第二主体，不同通路包括不同长度的衬底；对通路进行测试以获取通路的通路电阻；根据通路电阻确定节点接触的电阻。每条通路的通路电阻与通路中包括的各个结构的电阻构成一个方程式，从而得到多个这样的方程式。这样，可以结合多个方程式求解得到通路中的节点接触的电阻。求解得到的节点接触的电阻就是从通路的通路电阻中提取的节点接触的电阻，并不包括通路中主体的电阻和衬底的电阻，提高了节点接触的电阻准确度。

本发明授权节点接触的电阻测量方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种节点接触的电阻测量方法，其特征在于，所述方法包括： 从DRAM上确定至少三条通路，每条所述通路依次包括：第一部件、所述DRAM上晶体管的衬底以及第二部件，所述第一部件为所述DRAM的第一主体，所述第二部件为所述DRAM的节点接触或所述DRAM的第二主体，不同所述通路包括不同长度的所述衬底； 分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻； 根据至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻； 其中，从DRAM上确定至少三条通路，包括： 从所述DRAM中选取所述衬底均匀分布的目标区域； 从所述目标区域中确定所述至少三条通路； 不同所述通路的所述第一部件共用同一所述第一主体，和或，不同所述通路的所述第一部件使用不同的所述第一主体； 其中，从所述目标区域中确定所述至少三条通路，包括： 从所述目标区域中选取两个相邻主体，分别作为所述第一主体和所述第二主体； 从所述目标区域中选取至少两个所述节点接触； 根据所述第一主体、所述第二主体和所述至少两个节点接触确定所述至少三条通路，一条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和所述第二主体，至少两条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和一个所述节点接触。

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