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龙图腾网获悉北京晶亦精微科技股份有限公司申请的专利抛光垫的参数控制方法、装置、设备、存储介质及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117655908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311786618.0，技术领域涉及：B24B37/005；该发明授权抛光垫的参数控制方法、装置、设备、存储介质及系统是由赵光远;何艳红设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本抛光垫的参数控制方法、装置、设备、存储介质及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种抛光垫的参数控制方法、装置、设备、存储介质及系统；该抛光垫的参数控制方法包括：获取传感器的采集信号；其中，采集信号用于表征抛光垫的打磨特征参数；将采集信号输入至训练好的量测信号分析模型中进行信号分析处理，得到抛光垫的打磨特征参数；其中，打磨特征参数包括表面粗糙度、沟槽深度和厚度中的至少之一，量测信号分析模型用以分析采集信号与打磨特征参数之间的对应关系；基于打磨特征参数对抛光垫的参数进行调整，能够在晶圆抛光过程中使得抛光垫表面粗糙度一致，晶圆表面局部区域研磨量相同，提升整体制程的良率。

本发明授权抛光垫的参数控制方法、装置、设备、存储介质及系统在权利要求书中公布了：1.一种抛光垫的参数控制方法，其特征在于，所述抛光垫的参数控制方法包括： 获取传感器的采集信号；其中，所述采集信号用于表征抛光垫的打磨特征参数； 将所述采集信号输入至训练好的量测信号分析模型中进行信号分析处理，得到所述抛光垫的打磨特征参数；其中，所述打磨特征参数包括表面粗糙度、沟槽深度和厚度中的至少之一，所述量测信号分析模型用以分析所述采集信号与所述打磨特征参数之间的对应关系； 基于所述打磨特征参数对所述抛光垫的参数进行调整； 所述基于所述打磨特征参数对所述抛光垫的参数进行调整，包括： 获取所述采集信号的信号采集时间； 基于所述信号采集时间确定所述采集信号所处的抛光周期信息； 基于所述抛光周期信息在所述打磨特征参数中提取实际影响参数；其中，所述实际影响参数用于确定抛光垫的参数的调整幅度； 基于所述实际影响参数对所述抛光垫的参数进行调整； 所述抛光周期信息包括依照抛光时间划分的抛光早期、抛光中期和抛光晚期，所述基于所述抛光周期信息在所述打磨特征参数中提取实际影响参数，包括： 若所述抛光周期信息为打磨早期或打磨晚期，将所述打磨特征参数中的全部类别的参数作为所述实际影响参数； 若所述抛光周期信息为打磨中期，提取所述打磨特征参数中的至少之一的类别的参数作为所述实际影响参数； 所述基于所述实际影响参数对所述抛光垫的参数进行调整，包括： 获取所述实际影响参数所对应的历史影响参数； 计算所述实际影响参数和所述历史影响参数的差异程度； 基于所述差异程度对所述抛光垫的参数进行调整；其中，所述差异程度与所述抛光垫的参数呈正相关； 所述基于所述差异程度对所述抛光垫的参数进行调整，包括： 获取所述实际影响参数的类别信息； 在所述类别信息表征着所述实际影响参数可被分为多类时，获取每一类所述影响参数的所述差异程度作为权重参数； 基于所述权重参数确定对所述抛光垫的参数进行调整时的各实际影响参数的调整权重； 基于所述调整权重和所述实际影响参数对所述抛光垫的参数进行调整。

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