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龙图腾网获悉原粒威(深圳)科技有限公司申请的专利一种陶瓷基板的金属电路制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118086827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410135746.7，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种陶瓷基板的金属电路制备方法是由李田;黎兆早;吴明洋设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种陶瓷基板的金属电路制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种陶瓷基板的金属电路制备方法，对氮化铝陶瓷的表面处理、以及过渡层的选择和对金属层晶向的制备，通过制备绝缘氧化物、导电氧化物、金属导电层的多层结构，并引入Cu111层的制备，提升薄层金属导电能力；包括以下制备步骤：步骤一：用硝酸和或去离子水清洗氮化铝陶瓷基板毛坯，在相应浓度的HF溶液中，以及相应摄氏度的加热温度条件下在相应的时间段进行化学反应，以制备缓冲层；步骤二：通过磁控溅射制备导电氧化物和或金属导电层的多层结构；步骤三：完成步骤二后再将陶瓷基板通过光刻胶光刻，形成电路图形化；步骤四：对陶瓷基板图形化电路进行电镀处理，以形成电连接表层；步骤五：对完成步骤四的陶瓷基板进行退火处理。

本发明授权一种陶瓷基板的金属电路制备方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基板的金属电路制备方法，其特征在于：对氮化铝陶瓷的表面处理、以及过渡层的选择和对金属层晶向的制备，通过制备绝缘氧化物、导电氧化物、金属导电层的多层结构，并引入Cu111层的制备，提升薄层金属导电能力，包括以下制备步骤： 步骤一：用硝酸和或去离子水清洗氮化铝陶瓷基板毛坯，在相应浓度的HF溶液中，以及相应摄氏度的加热温度条件下在相应的时间段进行化学反应，以制备缓冲层； 步骤二：通过磁控溅射制备导电氧化物和或金属导电层的多层结构； 步骤三：完成步骤二后再将陶瓷基板通过光刻胶光刻，形成电路图形化； 步骤四：对陶瓷基板图形化电路进行电镀处理，以形成电连接表层； 步骤五：对完成步骤四的陶瓷基板进行退火处理； 在步骤一中，在1%-3%HF溶液中，以及50℃-70℃加热条件下反应25s-35s，制备AlF缓冲层； 在步骤二中，清洗步骤一中的陶瓷基板毛坯后，陶瓷基板进入磁控溅射腔体；通过磁控溅射制备氧化铝膜和氧化锌膜和Ni膜和Cu膜和NiAu膜； 氧化铝膜的厚度为10nm-20nm；Ni膜的厚度为5nm-10nm；NiAu膜的厚度为10-20nm； 氧化锌膜的厚度100-200nm，制备氧化锌膜磁控溅射温度为290℃-310℃； Cu膜的厚度为240nm-1000nm，晶向为111，制备Cu膜磁控溅射温度为18℃-24℃，磁控溅射真空度为6×10-3Torr，磁控溅射氩气流量8sccm-12sccm，磁控溅射时间为3500s-3700s，磁控溅射速度为0.2nms-0.4nms，磁控溅射衬底转速为20rmin-35rmin； 完成步骤三的陶瓷基板进行进行电镀金，电镀金厚度为90nm-110nm，以在陶瓷基板上形成电连接表层。

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