盛美半导体设备(上海)股份有限公司邓雪飞获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种整流装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118136544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211541793.9,技术领域涉及:H10P72/00;该发明授权一种整流装置是由邓雪飞;程成设计研发完成,并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种整流装置在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路芯片制造领域,具体为一种整流装置,包括盖体、进气分配板、扩散板、进气管和排气管,进气分配板设置在扩散板上方,进气管和排气管设置在盖体上,进气分配板的上表面和盖体的内壁之间形成有第一腔室,扩散板的下表面与基板之间形成有第二腔室,进气分配板下表面和扩散板的上表面之间形成有第三腔室;进气管的两端分别连接外部气源与第一腔室,排气管的一端与第三腔室连通;扩散板上开设有多个通孔,外部气体经进气管依次流经第一腔室、第二腔室、通孔、第三腔室后经过排气管排出至外部;通孔的深度依据流经通孔的流速设定,流速高的通孔的深度大于流速低的通孔的深度。通过上述设计,实现基板上方气量的均匀分配。
本发明授权一种整流装置在权利要求书中公布了:1.一种整流装置,其特征在于,包括盖体1、进气分配板2、扩散板3、进气管5和排气管6,所述进气分配板2设置在所述扩散板3的上方,所述扩散板3的下方用于放置基板4,所述进气管5和所述排气管6设置在所述盖体1上; 所述进气分配板2的上表面和所述盖体1的内壁之间形成第一腔室11,所述扩散板3的下表面适于与所述基板4之间形成第二腔室12,所述进气分配板2下表面和所述扩散板3的上表面之间形成第三腔室13; 所述进气管5的一端用于连接外部气源,另一端与所述第一腔室11连通,所述排气管6的一端用于连接至外部抽气装置,另一端与所述第三腔室13连通; 所述进气分配板2上设置多个进气孔21,所述扩散板3上开设有多个通孔31,其中外部气体经所述进气管5依次流经所述第一腔室11、所述进气孔21、所述第二腔室12、所述通孔31、所述第三腔室13后经过所述排气管6排出至外部; 所述通孔31的深度依据流经所述通孔31的气体流速设定,气体流速高的所述通孔31的深度大于气体流速低的所述通孔31的深度; 所述进气分配板2的边缘区域设置多个所述进气孔21,其中外部气体经所述进气管5流经所述进气孔21并流向所述基板4表面。
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