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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410232925.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用是由王文;李雄军;杨翼虎;张应旭;杨超伟;蒋俊;班雪峰;桂希欢;张文宇;王雪松;方晗昊设计研发完成，并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用，包括：基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料，对其采用溴甲醇溶液和乳酸水溶液进行湿化学腐蚀，随后在表面上沉积生长碲化镉钝化层，再进行闭管饱和汞压热退火在碲镉汞外延材料表面形成高组分过渡层，接着在闭管退火后的碲镉汞芯片表面沉积生长碲化镉薄膜并进行真空热处理，得到所需浓度的p型碲镉汞材料。本发明通过封管退火在碲镉汞表面形成的高组分扩散层可以显著减小器件的表面漏电和产生复合电流，封管退火之后沉积的CdTe不仅有利于稳定调节碲镉汞材料的电学参数，还能改善钝化膜层的质量，减少由于刻蚀速率不均匀带来的损伤，最终应用于高性能APD碲镉汞红外探测器的制备。

本发明授权一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碲镉汞APD钝化层的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： S1，提供一片碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片由碲锌镉衬底层和碲镉汞层组成，其中碲锌镉层厚度为700-900µm，碲镉汞厚度为7-10µm； S2，对S1中的碲镉汞芯片进行溴甲醇湿化学腐蚀，随后浸泡在乳酸水溶液中； S3，在S2中的碲镉汞芯片表面上采用磁控溅射的方式沉积CdTe钝化膜，所述的CdTe钝化膜厚度为50-400nm； S4，对S3中得到的钝化膜进行饱和汞压闭管热退火处理，所述饱和汞压闭管热退火处理条件为： 第一步，热处理的条件为汞饱和蒸气压下，温度300-380℃，时间0.5-3h； 第二步，热处理的条件为汞饱和蒸气压下，温度200-230℃，时间24-48h； 第一步用于促进钝化层碲化镉中的Cd扩散进入碲镉汞外延材料中，提高碲镉汞外延材料表面的组分；第二步用于通过低温热处理泯灭第一步高温下产生的汞空位，修复碲镉汞外延材料的电学性能； S5，在S4中完成闭管热处理的碲镉汞材料表面沉积生长CdTe薄膜，所述CdTe薄膜厚度为70-300nm； S6，对S5中完成CdTe生长的碲镉汞芯片进行真空热退火处理，所述真空热退火处理为250-300℃，时间为1-5h。

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