杭州乾晶半导体有限公司张振远获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州乾晶半导体有限公司申请的专利一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118184400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410185092.9，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚是由张振远;严寿亮;袁志杰;徐所成;王明华设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚。包括TaN涂层和TaC涂层，将TaN涂层设置于石墨基材和TaC涂层之间，起到过渡的作用，能够有效的减少石墨基材和TaC涂层之间由于热膨胀系数相差大导致的较大的热应力，维持石墨部件表面涂层的稳定性，提高了涂层与石墨基材的结合强度。并且，利用具有复合涂层的石墨坩埚生长N型碳化硅晶体的过程中，TaN涂层中的N元素被环境中的碳元素置换出来，生成的氮气从等径环的内侧壁向晶体边缘释放，有助于提高N型碳化硅晶体生长环境中的氮均匀性，从而减少了晶体边缘的多晶、多型、缺陷、裂纹的形成，也降低了生成的晶体边缘的粗糙度和晶体产生的中间突边缘低的形貌。
本发明授权一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚在权利要求书中公布了：1.一种石墨部件复合涂层的制备方法，其特征在于，包括： 提供氮-钽涂层液、碳-钽涂层液、石墨部件，所述石墨部件表面的石墨基材裸露； 将所述氮-钽涂层液涂覆于所述石墨部件表面后，进行第一烧结，形成TaN涂层； 将所述碳-钽涂层液涂覆于所述TaN涂层表面后，进行第二烧结，形成TaC涂层，所述TaN涂层与所述TaC涂层组成复合涂层，最终获得具有所述复合涂层的石墨部件，其中，TaN的热膨胀系数处于石墨基材和TaC的热膨胀系数之间，其中，所述氮-钽涂层液的制备步骤包括：提供第一含硅粉末、碳粉；将所述含硅粉末、所述碳粉在氮气气氛下进行第三烧结，获得氮-硅合成粉末本体；将所述氮-硅合成粉末本体破碎，获得一定粒径的氮-硅合成粉末；将第一有机连接剂、第一有机溶剂、第一含钽粉末、所述氮-硅合成粉末混合后，获得所述氮-钽涂层液。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州乾晶半导体有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励