南京航空航天大学吕品获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118649858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410601092.2，技术领域涉及：B05D1/00；该发明授权一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法是由吕品;刘衍朋设计研发完成，并于2024-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法，属于碳金属有机薄膜制备领域，所述方法包括如下步骤：利用低压化学气相沉积LPCVD方法，以金属酞菁作为分子前驱体，铜箔作为生长基底，在氢氩混合气氛围中进行加热反应，生长完成后快速降温；制备得到的单层金属有机薄膜展现出较强的面内铁磁性，且具备一定的机械性能，可以不采用高分子保护膜进行直接转移，通过湿法转移刻蚀铜箔，将生长的铁磁金属有机薄膜转移至任意需要的基底。本发明首次提出了自下而上的一步法合成晶圆尺寸空气稳定的铁磁金属有机薄膜的方法，该铁磁金属有机薄膜的可控制备与转移工艺在电磁输运应用等方向具有重要意义。
本发明授权一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，采用自下而上的一步法制备原子厚度的薄膜，包括如下步骤： 1对生长基底铜箔进行表面处理去除氧化层，放置于CVD管式炉下温区，单一金属酞菁前驱体放置于CVD管式炉上温区； 2对CVD管式炉进行抽真空，氩气清洗； 3通入氢氩混合气，控制压力，保持低压环境，压力为4torr； 4将生长基底铜箔所在下温区以升温速率20℃分钟升温至900℃，退火处理30分钟，升温和退火过程中都通入500sccm氩气和100sccm氢气；退火处理完成后将基底所在下温区升温降温至700℃，准备生长； 5将单一金属酞菁前驱体所在上温区升温至360-400℃；当上温区到达指定温度后开始生长，生长结束后快速降至室温，形成完全覆盖的金属有机薄膜。
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