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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118860957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410814778.X，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构及其工作方法是由尹勋钊;杨泽禹;卓成设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明属于存储领域，公开了一种基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构及其工作方法，涉及分别适用于电流域和电压域的一种全新的模拟存内计算设计。本发明充分利用了FeFET的非易失性和模拟存储特性，在阵列中实现了每列的部分乘累加MAC操作的同时固有集成了4‑bit权重的移位加操作，消除了权重处理过程中额外的移位加电路；本发明支持补码模式2CM和非补码模式N2CM下的部分MAC操作，灵活适用于补码表示的4‑8‑bit权重数据；本发明实现了相比传统基于CMOS的模拟存内计算架构更高的能效，并且实现了非易失性。

本发明授权基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET结构的高能效模拟存内计算架构，其特征在于，该高能效模拟存内计算架构为高能效电流域存内计算架构，包括一个核心128*128的电流域存内计算阵列、一个字线输入驱动器、一个位线BL源线SL开关矩阵、一个参考区、16个补码模式模数转换器2CMADC、16个非补码模式模数转换器N2CMADC、16个累积模块；其中，字线输入驱动器通过各根字线WL和WLB与电流域存内计算阵列相连，位线BL源线SL开关矩阵通过各根位线BL和源线SL与电流域存内计算阵列相连； 电流域存内计算阵列分为16个区，每个区包含4个高4-bit块H4B和4个低4-bit块L4B、16个传输门TG和2个跨阻放大器TIA； 每个高4-bit块H4B和低4-bit块L4B都包含32行*4列的存内计算单元，分别存储32个有符号和无符号的4-bit权重数据；对于高4-bit块H4B的32行*4列的存内计算单元，位于同一列的存内计算单元共享位线BL和源线SL，在一行存内计算单元中，高4-bit块H4B符号位对应的存内计算单元共享字线WLS，其余存内计算单元共享另一根字线WL；对于低4-bit块L4B的32行*4列的存内计算单元，位于同一列的存内计算单元共享位线BL和源线SL，位于同一行的存内计算单元共享另一根字线WL； 电流域存内计算阵列中各区中的2个跨阻放大器TIA输出分别与1个补码模式模数转换器2CMADC和1个非补码模式模数转换器N2CMADC相连；参考区的结构与电流域存内计算阵列中的区相同，其中的2个跨阻放大器TIA输出分别与16个补码模式模数转换器2CMADC和16个非补码模式模数转换器N2CMADC相连；每个补码模式模数转换器2CMADC和非补码模式模数转换器N2CMADC的输出与一个累计模块相连。

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