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龙图腾网获悉兆易创新科技集团股份有限公司申请的专利三维半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310546128.7，技术领域涉及：H10W90/22；该发明授权三维半导体器件的制造方法是由张春雨;朱淑娟;渠汇设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种三维半导体器件的制造方法，包含步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的一第一表面上具有多个凹陷部；将多个第一小芯片键合在所述多个凹陷部内，其中两个相邻的所述第一小芯片之间存在有第一间隙；填充所述第一间隙，并对所述第一表面进行平坦化处理；在所述第一表面上形成至少一第一金属互连结构，以形成一第一芯片组件晶圆；通过所述第一金属互连结构键合所述第一芯片组件晶圆与一第二晶圆的一第二表面上的至少一第二金属互连结构；对所述第一芯片组件晶圆的背表面进行减薄后，在所述第一间隙内形成延伸至所述第一金属互连结构的多个穿孔；在减薄后的背表面上沉积一钝化层并形成一重布线层；其中所述第一金属互连结构通过所述多个穿孔与所述重布线层之间形成一电性连接结构。

本发明授权三维半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述制造方法包含以下步骤： a提供一第一晶圆，所述第一晶圆的一第一表面上具有至少一凹陷部； b将多个第一小芯片键合在所述凹陷部内，其中两个相邻的所述第一小芯片彼此之间存在有一第一间隙； c填充所述第一间隙，并对所述第一表面进行平坦化处理； d在所述第一表面上形成至少一第一金属互连结构，以形成一第一芯片组件晶圆； e通过所述第一金属互连结构键合所述第一芯片组件晶圆与一第二晶圆的一第二表面上的至少一第二金属互连结构； f对所述第一芯片组件晶圆的一背表面进行减薄后，在所述第一间隙内形成延伸至所述第一金属互连结构的多个穿孔，其中所述背表面与所述第一表面彼此相对； 以及 g在减薄后的背表面上沉积一钝化层并形成一重布线层； 其中所述第一金属互连结构通过所述多个穿孔与所述重布线层之间形成一电性连接结构；每一个所述第一小芯片的表面不超过所述第一晶圆的所述第一表面。

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