福建省晋华集成电路有限公司陈炫彤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411056485.6，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由陈炫彤;蔡建成;周阳设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过先在基底上形成多层介质层如第一介质层，然后在不同的介质层中依次形成深度、宽度不同的凹槽和通孔，并沿着所述通孔去除部分所述介质层，从而形成由剩余的多层介质层及通孔组成的空气隙结构，并将所述空气隙结构设置在上下相邻的芯片、元件、器件之间，从而达到增强器件制程工艺过程中所产生热量的热扩散，降低制程工艺过程中的高温对芯片、元件、器件的影响，解决器件制程工艺过程中散热性能不佳的问题，提高器件的可靠性。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区和第二区； 形成第一介质层位于所述基底的第一区和第二区上； 形成多个相互分隔的凹槽位于所述第一区和第二区的第一介质层内； 形成第二介质层位于所述凹槽内，所述第二介质层还横向延伸覆盖在相邻所述凹槽之间的第一介质层上； 形成多个相互分隔的通孔位于所述第二介质层内，所述通孔还穿过所述第二介质层让其底部露出相邻所述凹槽之间的部分所述第一介质层； 沿着所述通孔去除所述通孔底部露出的部分所述第一介质层，以形成由所述第二介质层及部分所述第一介质层围成的多个空气隙结构，所述空气隙结构的部分的顶部还具有开口； 形成第三介质层位于所述空气隙结构上。
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