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龙图腾网获悉北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119290952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411202166.1，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统是由路文墨;李冬梅;孙健;方朝阳;英爽设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统在说明书摘要公布了：本发明属于器件检测与定位技术领域，具体涉及一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统，旨在解决叠层封装半导体器件的缺陷难以定位的问题。本方法包括：获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数；若叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件，制样后进行磨样，然后无损取出并施加激励信号，若为塑料封装器件，则直接施加激励信号；采集叠层封装半导体器件的侧面温度，确定缺陷在X轴‑Z轴平面的位置；构建温度‑时间序列，进行傅里叶变换后计算相位角，得到缺陷相位差‑频率关系；利用热传导算法，建立Y轴深度缺陷求解模型，并结合缺陷相位差‑频率关系，确定缺陷的位置。本发明提升了缺陷检测和定位准确率。

本发明授权一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统在权利要求书中公布了：1.一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法，其特征在于，该方法包括： S100，获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数；若所述叠层封装半导体器件为塑料封装器件，则跳转S400；若所述叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件，则跳转S200； S200，采用树脂将所述叠层封装半导体器件制样，对所述叠层封装半导体器件制样后进行磨样； S300，将所述叠层封装半导体器件从磨样后的样品中无损取出，其方法为： 将磨样后的树脂样品加热，将加热后的树脂样品取出放入冰水混合物快速降温； 重复加热降温设定次数后，从树脂中取出所述叠层封装半导体器件； 取出后，将所述叠层封装半导体器件经过三次超声清洗，清洗溶液分别为丙酮、酒精和纯水，以去除残留树脂； S400，对所述叠层封装半导体器件的失效内压点施加激励信号，产生热源；控制所述激励信号的频率改变所述热源的发热频率； S500，采集所述叠层封装半导体器件的侧面温度，得到所述叠层封装半导体器件在X轴和Z轴构成平面上的热源位置，进而确定缺陷在X轴-Z轴平面的位置； S600，基于采集的侧面温度及对应的时间，构建温度-时间序列；对所述温度-时间序列傅里叶变换后计算相位角，得到缺陷相位差-频率关系； S700，根据所述缺陷在X轴-Z轴平面的位置，利用热传导算法对Y轴方向深度位置处激励信号的热传导路径进行解析，建立Y轴深度缺陷求解模型，并结合缺陷相位差-频率关系，确定缺陷的位置。

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