长鑫存储技术有限公司章恒嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、激光切割方法、半导体单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310813701.6，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权半导体结构及其制作方法、激光切割方法、半导体单元是由章恒嘉;丁楚凡设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、激光切割方法、半导体单元在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、激光切割方法、半导体单元，半导体结构包括基底，基底设置有多条切割道，多条切割道将基底划分为多个芯片区；至少部分切割道设置有至少一个气隙。本公开通过在切割道位置对应的基底内部设置气隙，气隙能够有效降低切割道的机械强度，便于扩片过程中对相邻的芯片区进行分离，防止扩片时的外力对芯片区造成损伤，有利于减小切割道尺寸，利于在基底上设置更多的芯片区，提高了基底的有效利用率。
本发明授权半导体结构及其制作方法、激光切割方法、半导体单元在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括基底，所述基底设置有多条切割道，多条所述切割道将所述基底划分为多个芯片区； 至少部分所述切割道设置有至少一个气隙； 所述切割道设置有结构层，所述气隙设置于所述结构层中； 所述结构层设置有器件结构，所述器件结构的两侧的靠近所述芯片区的所述切割道中设置所述气隙； 所述芯片区设置有检测引脚； 其中，所述器件结构为测试电路，所述测试电路与所述检测引脚电连接。
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