华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411444932.5，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法是由李国强;支国伟;陶桂龙;张一诺;朱宇涵设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法，在衬底A表面生长BaF2和或CaF2剥离层、AlN材料压电层、底电极层，支撑层；在衬底B表面生长出空腔层；将衬底A和衬底B键合在一起，刻蚀剥离层，将衬底A剥离；在剥离后暴露的压电层表面生长图形化顶电极。利用溶剂对剥离层和功能层差异性溶解能力，有效将薄膜剥离，能够减少剥离过程中对薄膜的损伤，进而有效地提升谐振器的性能，减少其工作时的能量损耗，极大地保证了其组成的滤波器的信号质量。
本发明授权一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，在衬底A表面生长剥离层、压电层、底电极层，支撑层；所述剥离层为BaF2和或CaF2；刻蚀剥离层使用醇类溶剂；所述醇类溶剂为乙醇、甲醇或甘油中的一种或两种以上的组合；衬底A为Si、蓝宝石或SiC中的任一种； 压电层为AlN、AlxGa1-xN、ScxAl1-xN或AlxSi1-xN中的任一种； 底电极层为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb或Hf中的一种或两种以上的组合； 支撑层为Si3N4、SiO2或SiC中的一种或两种以上的组合； 所述剥离层的厚度为30-100nm；步骤S2，在衬底B表面生长出空腔层； 步骤S3，将衬底A和衬底B键合在一起，刻蚀剥离层，将衬底A剥离； 步骤S4，在剥离后暴露的压电层表面生长图形化顶电极； 所述底电极与顶电极的厚度为200-1500nm，空腔层的厚度为0.5-4μm，压电层的厚度为0.1-3.5μm；支撑层的厚度为20-300nm。
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