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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种抗总剂量辐射三极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411463085.7，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种抗总剂量辐射三极管及其制备方法是由葛超洋;汪敏;谢儒彬;李燕妃;郝新焱设计研发完成，并于2024-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗总剂量辐射三极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗总剂量辐射三极管及其制备方法，属于双极器件抗辐射加固技术领域。本发明提供的抗总剂量辐射三极管的制备方法中，消除了基极阱区和发射极阱区交界面上方的STI浅槽隔离结构，取而代之的是氧化层和多晶硅双层保护结构。由于氧化层的厚度远远小于STI浅槽隔离结构的厚度，在相同总剂量辐照下，氧化层产生的氧化层固定电荷和界面态的数量大大减小，可有效降低三极管的过剩基极电流，降低电流增益损伤的程度，提升三极管的抗总剂量辐照能力。

本发明授权一种抗总剂量辐射三极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗总剂量辐射三极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的第一导电类型衬底110、第二导电类型埋层120、第二导电类型集电极深阱区130，第二导电类型集电极深阱区130四周边缘上方设置有第二导电类型集电极阱区140，第二导电类型集电极阱区140上方设置第二导电类型集电极注入区150，第二导电类型集电极深阱区130内部上方设置第一导电类型基极深阱区160，第一导电类型基极深阱区160四周边缘上方设置第一导电类型基极阱区170，第一导电类型基极阱区170上方设置第一导电类型基极注入区180，第一导电类型基极深阱区160内部上方设置第二导电类型发射极阱区190，第二导电类型发射极阱区190上方设置第二导电类型发射极注入区200，第一导电类型基极注入区180和第二导电类型集电极注入区150之间设置第一STI隔离结构210，位于第二导电类型集电极注入区150外侧且位于第二导电类型集电极深阱区130四周边缘上方设置有第二STI隔离结构220，第一导电类型基极注入区180和第二导电类型发射极注入区200之间设有薄的氧化层230，氧化层230覆盖在第一导电类型基极阱区170和第二导电类型发射极阱区190的上方，氧化层230上方覆盖有多晶硅240。

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