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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利晶圆加工装置和晶圆加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510322103.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权晶圆加工装置和晶圆加工方法是由沈康;王兆祥;涂乐义;梁洁;王士京;桂智谦;侯海洋;周正设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆加工装置和晶圆加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法，该装置包括：壳体和壳体包裹而成的反应腔；反应腔由过滤装置分隔成上腔体和下腔体；过滤装置包括过滤挡板，过滤挡板设置有1个或多个贯穿过滤挡板的过滤孔；还包括反应速率控制系统，其控制过滤孔的打开和部分关闭，从而调整等离子体中带电粒子通过量和反应速率。该加工方法采用上述加工装置。本发明通过优化等离子体的过滤和控制机制，有效解决了现有技术中离子损伤与加工效率难以兼顾的问题，具有重要的应用价值。

本发明授权晶圆加工装置和晶圆加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括如下步骤： 在晶圆加工装置的反应腔中设置过滤挡板；其中，所述晶圆加工装置包括：壳体和壳体包裹而成的反应腔，所述反应腔由过滤装置分隔成上腔体和下腔体，所述过滤装置包括过滤挡板，所述过滤挡板设置有1个或多个贯穿过滤挡板的过滤孔；每个所述过滤孔的一侧孔壁上设置有第一凹槽，相对所述过滤孔的另一侧孔壁设置有第二凹槽，所述的第一凹槽内设置有第一滑块，所述第一滑块包括第一伸出部和第一连接部，所述的第二凹槽内设置有第二滑块，所述第二滑块包括第二伸出部和第二连接部；每个过滤孔内还设置阻挡片，阻挡片上设置有贯穿阻挡片直径方向的旋转轴，阻挡片与过滤板通过旋转轴转动连接；以及在反应腔中设置反应速率控制系统，反应速率控制系统通过控制第一滑块和第二滑块的相对远离或靠近运动，和或阻挡片的旋转运动，控制所述过滤孔的打开和部分关闭，调整反应速率； 确认需要在待加工晶圆上进行的操作以及需要得到的晶圆产品； 对处理晶圆时不同时间段所述过滤孔的关闭幅度进行设计；其中，所述关闭幅度的设计方法包括：S1：建立D、R、P与关闭幅度的关系曲线；S2：设定不同时间t的目标值Dt、Rt、Pt，并确定该时间t时D、R、P的选取范围；S3：将S2中时间t时D、R、P的选取范围带入S1中得到的关系曲线，设计时间t时所需要的关闭幅度；其中，D为离子密度，R为反应速度，P为单位反应速率下的离子损伤情况，P=DR；所述关闭幅度小于100%，其中打开为0%，0%部分关闭100%； 反应速率控制系统根据预设的工艺参数时间T、离子密度D、反应速度R和离子损伤P通过控制第一滑块、第二滑块和阻挡片的运动调整所述关闭幅度，对待加工晶圆进行处理得到所述晶圆产品； 其中，当需要高反应速率时，反应速率控制系统控制第一滑块和第二滑块的滑动，使第一伸出部和第二伸出部进入凹槽中，和或反应速率控制系统控制阻挡片的转动，以使过滤孔完全打开；当需要低离子损伤，低反应速率时，反应速率控制系统控制第一滑块和第二滑块的滑动，使第一伸出部和第二伸出部进入过滤孔中，和或反应速率控制系统控制阻挡片的转动，以使过滤孔部分关闭；其中，通过离子密度分析系统实时监控到达下腔体的等离子体中带电离子或电子密度实时反馈离子密度信息监控离子损伤。

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