隆基绿能科技股份有限公司冯磊获国家专利权
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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510151850.X，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法和电池组件是由冯磊;王永涛;殷实;于明哲;魏艳敏;孙召清;邓小玉;曲铭浩;徐希翔设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其制备方法和电池组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件，其中，包括硅基底，所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上依次层叠有第一掺杂层和第一电极，所述第一掺杂层包括紧邻的第一晶体掺杂区和第一非晶掺杂区；在所述硅基底的第二表面上依次层叠有第二掺杂层和第二电极，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；所述第一电极在所述硅基底上的投影与所述第一晶体掺杂区在所述硅基底上的投影重叠，且所述第一电极在所述硅基底上的投影面积小于所述第一晶体掺杂区在所述硅基底上的投影面积。该太阳能电池可以降低接触电阻的同时还能避免漏电现象。
本发明授权一种太阳能电池及其制备方法和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其中，包括硅基底，所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上依次层叠有第一掺杂层和第一电极，所述第一掺杂层与所述第一电极之间设置有第一导电层，所述第一掺杂层包括沿着第一方向紧邻的第一晶体掺杂区和第一非晶掺杂区；在所述硅基底的第二表面上依次层叠有第二掺杂层和第二电极，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；所述第一方向平行于所述第一表面； 所述第一电极在所述硅基底上的投影与所述第一晶体掺杂区在所述硅基底上的投影重叠，且所述第一电极在所述硅基底上的投影面积小于所述第一晶体掺杂区在所述硅基底上的投影面积。
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