北京超弦存储器研究院董树成获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311451523.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由董树成;田超;平延磊设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿所述不同层的所述晶体管沿着垂直所述衬底方向延伸；背栅电极，贯穿所述不同层沿着垂直所述衬底方向延伸；所述晶体管包括环绕所述字线侧壁的半导体层，以及，设置在所述半导体层和所述字线之间的第一栅极绝缘层；所述背栅电极分布在所述半导体层的外侧壁通过第二栅极绝缘层与所述半导体层绝缘。本实施例提供的方案，提供一种双栅结构的垂直堆叠的半导体器件，提高对沟道的控制能力。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠； 字线，贯穿所述不同层的所述晶体管沿着垂直所述衬底方向延伸； 背栅电极，贯穿所述不同层沿着垂直所述衬底方向延伸； 所述晶体管包括环绕所述字线侧壁的半导体层，以及，设置在所述半导体层和所述字线之间的第一栅极绝缘层；所述背栅电极分布在所述多个晶体管的多个所述半导体层的外侧壁通过第二栅极绝缘层与多个所述半导体层绝缘。
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