北京超弦存储器研究院孟敬恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311462359.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由孟敬恒;段晶晶;王祥升;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术，半导体器件包括：设置在衬底上的位线、晶体管和电容；所述晶体管包括沟道、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别与所述沟道连接，所述第一电极包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和所述第二电极部为沿平行所述衬底方向依次连接的不同导电膜层，所述第一电极部与所述沟道连接，所述第二电极部与所述第一电容电极为一体式结构，所述第二电极部的侧壁上设置有绝缘层，所述绝缘层将所述第二电极部夹紧；从而提高第一电容电极的稳定性。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底上的位线、晶体管和电容； 所述晶体管包括沟道、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别与所述沟道连接，所述第一电极与所述电容连接，所述第二电极与所述位线连接； 所述电容包括第一电容电极、电容介电层和第二电容电极，所述电容介电层至少设置在所述第一电容电极与所述第二电容电极之间； 所述第一电极包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和所述第二电极部沿平行衬底的第一方向依次连接，所述第一电极部与所述沟道连接，所述第二电极部与所述第一电容电极为一体式结构，所述第二电极部的至少两侧侧壁上均设置有电容固定层，在所述第一方向上，所述电容固定层与所述第二电极部具有交叠，所述电容固定层将所述第二电极部夹紧； 其中，所述电容固定层与所述第二电极部接触，所述电容固定层与所述第二电极部接触的表面的粗糙度大于所述电容固定层的其他表面的粗糙度；或者，所述电容固定层与所述第二电极部接触的表面具有凹凸结构。
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