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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120497215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510636258.9，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构是由王智强;吴云禅;时晓洁;孔武斌;姚永刚设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件封装技术领域，公开了一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构，包括：上基板、下基板、去耦电容、陶瓷气密框、键合线金属箔、功率半导体芯片、垫块、高温灌封材料；本发明利用了双面冷却模块具有上下两块基板的结构特点，采用特殊设计的陶瓷气密框，在上下基板之间构建了一个小型的气密系统。这一封装架构能够在不增加双面冷却功率模块的内外散热路径长度及换流回路路径长度，不影响模块低热阻低寄生电感性能优势的前提下，为模块核心部件提供气密密封防护。

本发明授权一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构在权利要求书中公布了：1.一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构，其特征在于，包括： 上基板、下基板、去耦电容、陶瓷密封框、键合线或金属箔、功率半导体芯片、垫块以及高温灌封材料； 所述上基板和下基板分别设有金属化区域，并与功率半导体芯片和端子连接，所述功率半导体芯片的功率源极通过垫块连接至基板金属化区域，所述芯片的开尔文源极和栅极通过键合线或金属箔连接至陶瓷密封框凸台上的金属化导电焊盘；所述去耦电容布置于正负母线之间，所述灌封材料覆盖器件所有需绝缘的表面；其中，封装架构由上下两组封装结构镜像布置构成，上下桥臂分别有一个陶瓷密封框； 其中一个所述陶瓷密封框通过上侧金属密封环连接于上基板对应的金属化区域，通过下侧金属密封环和金属导电焊盘连接于下基板对应的金属化区域；另一个陶瓷密封框通过上侧金属密封环连接于下基板对应的金属化区域，通过下侧金属密封环和金属导电焊盘连接于上基板对应的金属化区域；实现气密密封和电气连接； 陶瓷密封框由陶瓷侧壁基体、陶瓷凸台、空腔、六个金属化导电焊盘、上侧金属密封环、下侧金属密封环、金属导电焊盘组成，六个金属化导电焊盘位于上侧金属密封环内部，金属导电焊盘位于下侧金属密封环外部，其中金属化导电焊盘通过陶瓷凸台内部垂直向下的金属过孔与导电焊盘实现电气连接。

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