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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120522414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510643533.X，技术领域涉及：G01P15/12；该发明授权基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器及其制备方法是由李鹏;张慧毅;卢文龙;尤政设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器及其制备方法，属于半导体器件加工制造技术领域；通过采用等离子体增强化学气相沉积法在基片的正、背面生长二氧化硅薄膜，制备绝缘层和硬掩膜层；采用剥离工艺或干法刻蚀工艺在绝缘层上制备金属标记和金属电极；采用等离子体刻蚀工艺使绝缘层图形化，然后采用深硅刻蚀工艺使硅基质量块图形化；采用等离子体刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺对基片背面进行空腔刻蚀；将二维材料薄膜转移至基片的正面，该二维材料薄膜包括单层双层石墨烯薄膜，将单层双层石墨烯薄膜图形化；通过等离子体刻蚀工艺与氟化氢气相腐蚀法对质量块进行释放，完成对基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器的制备。

本发明授权基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1采用等离子体增强化学气相沉积法在基片的正、背面生长二氧化硅薄膜，完成基片正面绝缘层和基片背面硬掩膜层的制备； 2采用剥离工艺或干法刻蚀工艺在绝缘层上制备金属标记和金属电极； 3采用等离子体刻蚀工艺对绝缘层进行刻蚀使其图形化，然后采用深硅刻蚀工艺对硅基质量块进行刻蚀使其图形化； 4采用等离子体刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺对基片背面进行一定厚度的空腔刻蚀； 5将二维材料薄膜转移至基片的正面，该二维材料薄膜包括单层双层石墨烯薄膜，然后将单层双层石墨烯薄膜图形化，形成双石墨烯带单端悬臂结构；该双石墨烯带为设置在质量块一端的两个单层双层石墨烯带，每个单层双层石墨烯带的一端固定在基底上，另一端作为自由端连接在质量块上，在质量块的一端形成悬臂结构； 6通过等离子体刻蚀工艺与氟化氢气相腐蚀法对质量块进行释放，完成对基于双石墨烯带单端悬臂结构的加速度传感器的制备。

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