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龙图腾网获悉华芯半导体科技有限公司;华芯半导体研究院(北京)有限公司申请的专利一种VCSEL芯片金属蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510728524.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种VCSEL芯片金属蚀刻方法是由韩浩;梁高明;江蔼庭;尧舜;王小芹;田正如设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL芯片金属蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种VCSEL芯片金属蚀刻方法，涉及蚀刻技术领域，本发明为了避免干法蚀刻后的粗糙度问题，对VCSEL芯片金属蚀刻方法进行了改进，本发明首先对VCSEL芯片外延片使用正性光刻胶作为掩膜，对其表面曝光后，干法蚀刻对外延片表面进行初步蚀刻，在干法蚀刻时，本发明使用了BCl2与Cl2作为蚀刻气体，并加入氮气从而诱导生成钝化层，防止生成横向蚀刻，并在这一基础上使用了蚀刻液对VCSEL芯片外延片进行蚀刻平整，利用高锰酸钾对蚀刻不平整区域进行氧化后，便于磷酸的蚀刻，并且为了避免出现氧化性过强出现氧化斑的缺陷，本发明还对高锰酸钾含量进行了严格限制，实现对经干法蚀刻后VCSEL芯片外延片的平整处理，有效提升了VCSEL芯片蚀刻质量。

本发明授权一种VCSEL芯片金属蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片金属蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将外延片超声波清洗后，将其表面烘干至干燥后，对其表面旋涂光刻胶，并升温至100-110℃干燥10min后，冷却至室温对其表面曝光显影后，再次升温至100-110℃，干燥坚膜10min后，备用； 其中，所述光刻胶的制备方法为： 将丙烯酸正丁酯与酚醛树脂混合后，加入溶剂与流平剂，继续混合10-15min后，真空除泡，再次加入重氮萘醌感光剂，继续混合5-10min，真空除泡后，得到光刻胶； S2.将显影后的外延片置于等离子腔室内，向其中填充蚀刻气体，对外延片表面进行一次蚀刻处理； S3.将磷酸高锰酸钾蚀刻液冷却至0-2℃，向其中加入一次蚀刻处理后的外延片，超声震荡，处理150-200s后，将外延片取出并使用去离子水冲洗后，再次将其置于无水丙酮中，超声震荡清洗10min后，再次使用无水乙醇超声清洗10-20min后，备用； S4.去除经步骤S3处理后的外延片表面光刻胶，再次分别使用丙酮、无水乙醇洗涤10-15min后，升温至100-110℃，干燥5-10min后，完成蚀刻。

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