上海晶世创新材料科技有限公司李哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海晶世创新材料科技有限公司申请的专利一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120758965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510929556.7，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法是由李哲;钱玉立设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法，涉及多晶或单晶金刚石晶体领域。本发明包括生长托、衬底片和若干个可依次堆叠放置的散热调节片，衬底片设于生长托的顶部并用于沉积金刚石，生长托用于放置在含有冷却水路的散热台上；生长托的底部设有散热凹槽，散热凹槽中设有连接柱；散热调节片中设有连接通孔，连接柱与连接通孔可拆卸连接。本发明中可根据金刚石沉积区域温度场的形状和分布，安装相对应形状和数量的散热调节片，以使金刚石沉积区域温度场中内圈温度较高区域的热传导率较高，金刚石沉积区域温度场中外圈温度较低区域的热传导率较低，使金刚石沉积区域温度场保持平衡。
本发明授权一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法在权利要求书中公布了：1.一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置，其特征在于：包括生长托1、衬底片2和若干个可依次堆叠放置的散热调节片3，所述衬底片2设于生长托1的顶部并用于沉积金刚石，所述生长托1放置在含有冷却水路的散热台上；所述生长托1的底部设有散热凹槽4，所述散热凹槽4中设有连接柱5； 所述散热调节片3中设有连接通孔，所述连接柱5与连接通孔可拆卸连接，若干个所述散热调节片3依次可堆叠设于散热凹槽4中；所述散热凹槽4的中心点位于连接柱5的中心轴上，所述连接柱5的中心轴与生长托1的中心轴相重合。
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