中国科学技术大学徐光伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511450362.5，技术领域涉及：H10P34/40；该发明授权氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件是由徐光伟;李秋艳;刘金杨;龙世兵设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制作技术领域中的氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件。所述方法属于一种减少氧化镓表面缺陷密度的方法，其通过采用氩离子、或氮离子、或氦离子处理氧化镓表面，达到重构氧化镓表面的效果，接着进行低温氧气氛围退火氧气流量为0‑100sccm，退火温度300‑800℃，退火时间0‑24h，填补表面的氧空位，改善表面粗糙度和均一性的问题，从而可以有效地抑制由于氧化镓致命缺陷引起的漏电和提前击穿问题，同时不会增加器件的比导通电阻，器件在大面积化时仍能保持良好的击穿特性，解决了传统氧化镓样品只能牺牲器件的正向导通损耗才能有效降低表面致命缺陷密度的技术问题。
本发明授权氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种减少氧化镓表面缺陷密度的氧化镓表面处理方法，其特征在于，其包括以下步骤： 采用氩离子、或氮离子、或氦离子轰击带有外延层的氧化镓样品的氧化镓表面； 采用低温氧气退火处理氩离子轰击后的氧化镓表面，填补表面的氧空位：氧气流量为0-100sccm，退火温度300-800℃，退火时间0-24h。
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