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龙图腾网获悉深圳市华普微电子股份有限公司申请的专利一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121257457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511802882.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法是由李瀛台设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片安全防护技术领域，本发明公开了一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法，该方法包括：在芯片待保护区域形成金属格点阵；根据分裂数M规划路径格点阵；生成NM条路径；基于每条路径分裂出M条平行金属路径，通过路径分裂，使相邻金属线属于不同路径，提高了短路检测概率，同时保留了路径的复杂度。本发明有效增强了芯片抗物理攻击能力，适用于高端安全芯片的防护层设计，具有高灵活性、强兼容性和优越的鲁棒性。

本发明授权一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于芯片顶层防护层的多路平行随机路径的生成方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 步骤一，在芯片待保护区域以线间距W归一化形成金属格点阵； 步骤二，根据分裂数M规划路径格点阵； 所述路径格点阵的规划过程如下： 若M为偶数，路径格点位于部分金属格点之间，相邻路径格点之间间隔M个金属格点； 若M为奇数，路径格点位于部分金属格点上，相邻路径格点之间间隔M-1个金属格点； 所述分裂数M为大于1的整数，分裂出数量为M条的平行金属路径的步骤包括： a、对路径坐标集求一阶微分和二阶微分； b、根据第一点坐标和一阶微分确定数量为M条的金属线的起点坐标； c、根据二阶微分确定路径拐点坐标； d、根据拐点坐标、一阶微分和前一个拐点坐标确定数量为M条的金属线的拐点坐标； 所述确定数量为M条的金属线的起点坐标的过程如下： 若M为偶数，第m条金属线的第一点坐标为x1,y1-x1',y1'*+fx1',fy1'*； 若M为奇数，第m条金属线的第一点坐标为x1,y1-x1',y1'*+fx1',fy1'*； 其中，x1,y1为哈密顿回路第一点的坐标，x1',y1'为x1,y1的一阶微分，fx1’表示x1’的逻辑非，即若x1’为0则fx1’为1，否则fx1’为0； 步骤三，基于路径格点阵生成NM条路径，获得每条路径的坐标集合，其中，N为所需金属路径数； 步骤四，基于每条路径分裂出数量为M条的平行金属路径进而形成多路平行随机路径。

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