正阳融合微电子技术(珠海)有限公司彭勇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉正阳融合微电子技术(珠海)有限公司申请的专利一种水平双面电镀的腔体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224077576U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520745455.X，技术领域涉及：C25D17/00；该实用新型一种水平双面电镀的腔体结构是由彭勇;杨正朝设计研发完成，并于2025-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种水平双面电镀的腔体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种水平双面电镀的腔体结构，包括下腔体组件以及可升降的上盖组件，所述下腔体组件包括下腔本体、第一阳极盘以及第一喷流盘，所述下腔本体从内向外阶梯向上设置有第一阳极槽、喷流盘安装阶梯、低液位限制阶梯以及高液位限制阶梯，所述第一阳极槽内呈多环圆周分布有若干第一阳极端子，所述第一阳极盘定位于若干所述第一阳极端子上，所述第一喷流盘安装于所述喷流盘安装阶梯上，所述低液位限制阶梯的中部环状设置有低液位排液槽，所述第一阳极槽的中部设置有第一进液口，所述高液位限制阶梯的四角分别设置有高液位排液槽。本实用新型涉及TGV电镀工艺领域。
本实用新型一种水平双面电镀的腔体结构在权利要求书中公布了：1.一种水平双面电镀的腔体结构，其特征在于：包括下腔体组件1以及可升降的上盖组件3，所述下腔体组件1包括下腔本体11、第一阳极盘12以及第一喷流盘13，所述下腔本体11从内向外阶梯向上设置有第一阳极槽111、喷流盘安装阶梯112、低液位限制阶梯113以及高液位限制阶梯114，所述第一阳极槽111内呈多环圆周分布有若干第一阳极端子1111，所述第一阳极盘12定位于若干所述第一阳极端子1111上，所述第一喷流盘13安装于所述喷流盘安装阶梯112上，所述低液位限制阶梯113的中部环状设置有低液位排液槽1131，所述第一阳极槽111的中部设置有第一进液口1112，所述高液位限制阶梯114的四角分别设置有高液位排液槽1141。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人正阳融合微电子技术(珠海)有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区鼎业路81号3栋101、201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励