上海新微技术研发中心有限公司刘阿灿获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利压力传感器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224081097U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520886278.7，技术领域涉及：G01L1/22；该实用新型压力传感器芯片是由刘阿灿;王家钰设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本压力传感器芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造领域，具体地说，是涉及一种压力传感器芯片，其包括：功能结构件，包括SOI衬底和形成在SOI衬底上的惠思通电桥电路，SOI衬底包括敏感薄膜层，惠思通电桥电路形成于敏感薄膜层上；盖板，位于功能结构件的一侧，盖板包括低阻硅衬底和形成在低阻硅衬底内的绝缘隔离环，低阻硅衬底具有被绝缘隔离环分隔形成的导电硅柱，导电硅柱被作为导电通路，盖板中远离功能结构件的一侧上形成有导电垫，导电垫与导电硅柱电连接；及键合结构层，位于功能结构件和盖板之间，键合结构层内设置有键合柱，键合柱的两端分别与惠思通电桥电路、导电硅柱电连接。
本实用新型压力传感器芯片在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器芯片，其特征在于，包括： 功能结构件，包括SOI衬底和形成在所述SOI衬底上的惠思通电桥电路，所述SOI衬底包括敏感薄膜层，所述惠思通电桥电路形成于所述敏感薄膜层上； 盖板，位于所述功能结构件的一侧，所述盖板包括低阻硅衬底和形成在所述低阻硅衬底内的绝缘隔离环，所述低阻硅衬底具有被所述绝缘隔离环分隔形成的导电硅柱，所述导电硅柱被作为导电通路，所述盖板中远离所述功能结构件的一侧上形成有导电垫，所述导电垫与所述导电硅柱电连接；及 键合结构层，位于所述功能结构件和盖板之间，所述键合结构层内设置有键合柱，所述键合柱的两端分别与所述惠思通电桥电路、所述导电硅柱电连接。
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