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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利宽带低噪声放大器及射频芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083504U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520576306.5，技术领域涉及：H03F1/26；该实用新型宽带低噪声放大器及射频芯片是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽带低噪声放大器及射频芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及无线通讯技术领域，提供了一种宽带低噪声放大器及射频芯片，包括依次电连接的第一级放大电路、第二级放大电路以及第三级放大电路；第一级放大电路的输入端用于连接至信号输入端，第三级放大电路的输出端用于连接至信号输出端；第一级放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管；第一电感的第一端用于连接外部偏置电压，第一电感的第二端连接第一MOS管的栅极，第一MOS管的源极分别连接第二电感的第一端和第三MOS管的栅极；第三MOS管的源极经串联第三电感后接地。本实用新型的宽带低噪声放大器能实现噪声抵消和跨导增强效果。

本实用新型宽带低噪声放大器及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种宽带低噪声放大器，包括依次电连接的第一级放大电路、第二级放大电路以及第三级放大电路；所述第一级放大电路的输入端用于连接至信号输入端，所述第三级放大电路的输出端用于连接至信号输出端；其特征在于， 所述第一级放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管； 所述第一电感的第一端用于连接外部偏置电压，所述第一电感的第二端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极分别连接所述第二电感的第一端和所述第三MOS管的栅极并共同作为所述第一级放大电路的输入端，所述第二电感的第二端接地；所述第三MOS管的源极经串联所述第三电感后接地；所述第一MOS管的漏极分别连接所述第二MOS管的栅极和所述第四电感的第一端，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极分别连接所述第四MOS管的源极和所述第三MOS管的漏极；所述第四MOS管的栅极用于连接所述外部偏置电压；所述第四MOS管的漏极连接所述第五电感的第一端，所述第四电感的第二端和所述第五电感的第二端分别用于连接至供电电源； 所述第三MOS管的漏极还作为所述第一级放大电路的第一输出端，所述第四MOS管的漏极还作为所述第一级放大电路的第二输出端。

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