芯恩(青岛)集成电路有限公司张连谦获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083955U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520713355.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型MOSFET器件是由张连谦;刘涛设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种MOSFET器件，其源端轻掺杂区和漏端轻掺杂区关于其栅极是非对称分布的，且该源端轻掺杂区延伸到该栅极下方的宽度与该漏端轻掺杂区延伸到该栅极下方的宽度之间的比值为1:1.5～1:2，由此通过控制栅极两侧的轻掺杂区的非对称分布程度之比，在改善热载流子注入HCI效应的同时，不会影响到器件的有效沟道长度，进而保证不影响漏电，由此改善器件性能。
本实用新型MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括： 衬底， 栅极，形成在所述衬底上； 源端轻掺杂区和漏端轻掺杂区，分别形成在所述栅极两侧的衬底中且关于所述栅极是非对称分布的； 其中，所述源端轻掺杂区延伸到所述栅极下方的宽度为第一交叠宽度，所述漏端轻掺杂区延伸到所述栅极下方的宽度为第二交叠宽度，所述第一交叠宽度小于所述第二交叠宽度且所述第一交叠宽度与所述第二交叠宽度的比值为1:1.5～1:2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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