瑞萨电子株式会社佐藤幸弘获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108807323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810226534.4，技术领域涉及：H10W72/50；该发明授权半导体器件及其制造方法是由佐藤幸弘;清原俊范设计研发完成，并于2018-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体器件及其制造方法，能提高半导体器件的性能。一实施方式的半导体器件具有导线12，其在形成于半导体芯片的绝缘膜上的开口部13H1处，在一个接合面SEt1的多个部位接合。另外，半导体器件具有以与接合面SEt1接触的方式封固上述半导体芯片及导线12的封固体。接合面SEt1具有供导线12的接合部12B1接合的区域SER1、供导线12的接合部12B2接合的区域SER2、以及位于区域SER1与区域SER2之间的区域SER3。区域SER3的宽度WH3比区域SER1的宽度WH1及区域SER2的宽度WH2小。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体芯片，其包括电极焊盘和绝缘膜，该电极焊盘具有第1接合面，该绝缘膜具有使所述电极焊盘的所述第1接合面露出的第1开口部； 第1导线，其与所述电极焊盘的所述第1接合面接合；以及 封固体，其以与所述电极焊盘的所述第1接合面接触的方式封固所述半导体芯片和所述第1导线， 所述第1接合面由金属构成， 所述封固体由绝缘材料构成， 在俯视观察时，所述第1接合面具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域， 所述第1导线具有与所述第1接合面的所述第1区域接合的第1接合部、与所述第1接合面的所述第2区域接合的第2接合部、及位于所述第1接合部与所述第2接合部之间的第1中间部， 在俯视观察时，所述第1中间部沿着第1方向延伸，且所述第1中间部与所述第3区域分离， 在俯视观察时，所述第1区域在与所述第1方向正交的第2方向上的宽度、和所述第2区域在所述第2方向上的宽度，比所述第3区域在所述第2方向上的宽度大。
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