格芯公司V·布林格维加拉加万获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯公司申请的专利用于高密度SRAM的读取和写入方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109119111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710784440.4，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权用于高密度SRAM的读取和写入方案是由V·布林格维加拉加万;S·纳琼德加达设计研发完成，并于2017-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高密度SRAM的读取和写入方案在说明书摘要公布了：本发明涉及用于高密度SRAM的读取和写入方案。本公开涉及一种结构，包括双写入位切换器件，该双写入位切换器件包括位于存储器单元阵列的不同位置处的多个位切换器件，并且该双写入位切换器件被配置为能够在存储器单元阵列的每位线的特定数量的单元处进行写入操作。
本发明授权用于高密度SRAM的读取和写入方案在权利要求书中公布了：1.一种双写入位切换结构，包括双写入位切换器件，所述双写入位切换器件包括位于存储器单元阵列的不同位置处的多个位切换器件，并且被配置为能够在所述存储器单元阵列的每位线的特定数量的单元处进行写入操作， 其中，所述多个位切换器件包括位于所述存储器单元阵列的近侧处的第一位切换器件和位于所述存储器单元阵列的与所述近侧相对的远侧处的第二位切换器件， 其中所述第一位切换器件和所述第二位切换器件均被配置为能够进行所述写入操作， 其中所述第一位切换器件被通过数字线真写入线数字线补写入线连接到所述第二位切换器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯公司，其通讯地址为：开曼群岛大开曼岛；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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