三星电子株式会社安圣洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置及其制造方法、集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910834101.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法、集成电路装置是由安圣洙;孙龙勋;金民爀;闵在豪;张大铉设计研发完成，并于2019-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置及其制造方法、集成电路装置在说明书摘要公布了：提供了集成电路装置及其形成方法。装置可包括：衬底，其包括单元区域和延伸区域；以及导电层，其在竖直方向上堆叠在单元区域上。导电层可延伸到延伸区域上并且可在延伸区域上具有阶梯结构。装置还可包括：竖直结构，其位于衬底上。每个竖直结构可在竖直方向上延伸，并且竖直结构可包括在单元区域上的第一竖直结构和在延伸区域上的第二竖直结构。第一竖直结构可延伸穿过导电层并且可包括第一沟道层，第二竖直结构可处于阶梯结构中并且可包括第二沟道层，并且第二沟道层可在竖直方向上与衬底间隔开。
本发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法、集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括： 衬底，其包括沿水平方向布置的单元区域和延伸区域； 多个导电层，其在垂直于所述水平方向的竖直方向上堆叠在所述单元区域上，其中，所述多个导电层延伸到所述延伸区域上并且在所述延伸区域上具有阶梯结构；和 多个竖直结构，其位于所述衬底上，其中，所述多个竖直结构中的每一个在所述竖直方向上延伸，并且所述多个竖直结构包括在所述单元区域上的第一竖直结构和在所述延伸区域上的第二竖直结构和第三竖直结构， 其中，所述第一竖直结构延伸穿过所述多个导电层并且包括第一沟道层， 其中，所述第二竖直结构包括上部和下部，所述上部包括第二沟道层，所述下部包括第一无源柱，所述下部位于所述衬底和所述上部之间， 其中，所述第三竖直结构是延伸穿过所述多个导电层的所述阶梯结构的第二无源柱，所述第二无源柱与所述第一无源柱在所述水平方向上间隔开并且均具有介电体结构， 其中，所述第一无源柱和所述第二无源柱中的每一个具有其中没有界面的整体结构，所述第一无源柱的最上端高于所述第二无源柱的最上端，并且所述第一无源柱的高度大于所述第二无源柱的高度。
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