三星电子株式会社徐东燦获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112018108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010221091.7,技术领域涉及:H10D84/83;该发明授权集成电路器件是由徐东燦;金茶惠设计研发完成,并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件在说明书摘要公布了:提供了一种集成电路器件,包括:多个鳍型有源区,从衬底的顶表面突出并且沿第一水平方向延伸;至少一个半导体层,每个半导体层包括顺序堆叠在多个鳍型有源区中的至少一个鳍型有源区上的下半导体层和上半导体层;以及多个栅电极,在多个鳍型有源区上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸,其中下半导体层包括与上半导体层的材料相同的材料,并且其中在下半导体层和上半导体层之间具有半导体界面。
本发明授权集成电路器件在权利要求书中公布了:1.一种集成电路器件,包括: 多个鳍型有源区,从衬底的顶表面突出并且沿第一水平方向延伸; 至少一个半导体层,每个半导体层包括顺序堆叠在所述多个鳍型有源区中的至少一个鳍型有源区上的下半导体层和上半导体层;以及 多个栅电极,在所述多个鳍型有源区上沿与所述第一水平方向交叉的第二水平方向延伸, 其中所述下半导体层包括与所述上半导体层的材料相同的材料, 其中在所述下半导体层和所述上半导体层之间具有半导体界面,并且 其中,所述半导体界面包括:从所述半导体界面的第一端朝向所述半导体界面的第二端延伸且平行于所述衬底的所述顶表面的第一部分、以及在所述半导体界面的所述第二端处相对于所述衬底的所述顶表面具有倾斜度的第二部分。
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