三星电子株式会社姜周宪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010423499.2，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体存储器装置是由姜周宪;金泰勋;沈在龙;郑光泳;郑基容;韩智勋;黄斗熙设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对； 栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧； 第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向；以及 阻挡绝缘膜，沿着第二绝缘图案延伸，阻挡绝缘膜位于第三绝缘图案、第一绝缘图案和栅电极上； 其中，阻挡绝缘膜包括在第一方向上彼此间隔开的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜， 其中，第二绝缘图案在第一方向上位于第一电荷存储膜与第二电荷存储膜之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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