巴迪磊博公司吴澄玮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉巴迪磊博公司申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112968018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110162751.3，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体封装是由吴澄玮设计研发完成，并于2017-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片和金属柱。所述重分布结构包含连接结构，所述连接结构包含导电单元、焊料凸块、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、多个第一通孔以及多个第二通孔。所述金属柱具有第一端和第二端。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其特征在于，包括： 重分布结构，所述重分布结构具有前表面和后表面,所述重分布结构至少包括三层的金属层； 处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构的前表面，所述处理器芯片的有源侧具有钝化层； 绝缘层，所述绝缘层位于所述钝化层和所述重分布结构之间； 电容，所述电容位于所述重分布结构的后表面，所述电容位于所述处理器芯片的垂直投影之内； 金属柱，所述金属柱设置在所述处理器芯片旁，所述金属柱具有第一端、第二端和腰部，所述金属柱以所述第一端连接到所述重分布结构，所述第一端具有第一宽度、所述第二端具有第二宽度、所述腰部具有腰部宽度，所述第一宽度大于所述腰部宽度、所述第二宽度大于所述腰部宽度，所述金属柱具有侧表面，所述侧表面向内弯曲； DRAM模块； 非易失性存储模块； 印刷电路板； 第一焊料凸块，所述重分布结构通过所述第一焊料凸块连接到所述印刷电路板； 第二焊料凸块，所述非易失性存储模块通过所述第二焊料凸块连接到所述印刷电路板；以及 第三焊料凸块，所述DRAM模块通过所述第三焊料凸块和所述金属柱连接到所述重分布结构； 其中，所述重分布结构和所述处理器芯片之间形成凹部，所述处理器芯片的芯片边缘和所述绝缘层的外缘之间有水平位移。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人巴迪磊博公司，其通讯地址为：塞舌尔共和国伊顿岛第一商业屋第一区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励