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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有平顶底部电极的存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010228979.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权具有平顶底部电极的存储器装置及其形成方法是由闵仲强设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有平顶底部电极的存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器装置及其形成方法包括上覆在衬底上并位于存储器阵列区中的由存储器单元形成的阵列。存储器单元中的每一者包括包含底部电极、存储器元件、顶部电极的垂直堆叠以及位于每一垂直堆叠的侧壁上的介电侧壁间隔件。底部电极包括平顶部分，平顶部分水平延伸超过介电侧壁间隔件的外周边。装置还包括离散刻蚀停止介电层以及金属单元接触结构。本发明可在形成底部电极时保持顶部电极的厚度。

本发明授权具有平顶底部电极的存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 底部电极连接通孔结构，贯穿衬底上的通孔级介电层； 由存储器单元形成的阵列，垂直地形成在由所述底部电极连接通孔结构形成的阵列上，所述存储器单元形成的阵列位于存储器阵列区中，所述存储器单元中的每一者包括包含覆盖所述底部电极连接通孔结构的顶表面的底部电极、存储器元件、顶部电极的垂直堆叠以及位于每个所述存储器元件及所述顶部电极的侧壁上的介电侧壁间隔件，其中所述顶部电极及所述存储器元件垂直地且重叠地设置在所述底部电极连接通孔结构上，且所述底部电极包括平顶部分，所述平顶部分水平延伸超过所述介电侧壁间隔件的外周边，所述介电侧壁间隔件在所述底部电极的所述平顶部分上延伸； 刻蚀停止介电层，在所述存储器单元中的每一者之上，包括在所述底部电极的所述平顶部分之上延伸的水平延伸部分及横向环绕所述存储器单元和所述介电侧壁间隔件的外周边的垂直突出部分；以及 金属单元接触结构，接触所述顶部电极及所述刻蚀停止介电层的所述垂直突出部分， 其中所述金属单元接触结构包括向下突出部分，所述向下突出部分从所述顶部电极的顶表面的水平平面向下延伸，所述向下突出部分环绕所述刻蚀停止介电层的外周边且不接触所述介电侧壁间隔件，且所述向下突出部分是通过所述刻蚀停止介电层与所述介电侧壁间隔件间隔开。

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