东京毅力科创株式会社久田耕祐获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110677895.2，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质是由久田耕祐;大谷响;栗岛启聪;藤瀬辽平;大塚幸信设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。热处理单元包括：加热部，其支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热；腔室，其具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部通过在盖部与周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖加热部而在加热部上形成处理空间；壳体，其收纳加热部和腔室；第1气体供给部，其向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气部，其以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给部，其向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给部，其向壳体内的腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
本发明授权热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种热处理单元，其特征在于，包括： 加热部，其用于支承形成有覆膜的基片并对所述基片进行加热； 腔室，其具有周壁部和盖部，所述周壁部包围所述加热部的周围，所述盖部通过在所述盖部与所述周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖所述加热部而在所述加热部上形成处理空间； 壳体，其用于收纳所述加热部和所述腔室； 第1气体供给部，其用于向所述处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体； 排气部，其用于以比所述第1气体的供给量多的排气量对所述处理空间进行排气； 第2气体供给部，其用于向所述周壁部与所述盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和 第3气体供给部，其用于向所述壳体内的所述腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
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