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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种集成电路的静电防护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111256231.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种集成电路的静电防护方法是由李晓静;曾传滨;高林春;倪涛;王娟娟;李多力;闫薇薇;单梁;李明珠;罗家俊;赵发展;韩郑生设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路的静电防护方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种集成电路的静电防护方法，该方法包括：将集成电路布设于第一芯片上，集成电路包括输入端口；将静电防护电路布设于第二芯片上，静电防护电路包括第一输入接出端口、第二输入接出端口、第一二极管、第二二极管、电容、N型场效应管以及地端接出端口；将第一输入接出端口与输入端口相连，使得静电防护电路能够与集成电路相连，从而使得静电防护电路能够对集成电路进行静电防护。并且集成电路与静电防护电路布设于不同的芯片上，避免了在集成电路所在的芯片上进行静电防护设计，从而避免了由于集成电路所在芯片的基底材料限制导致无法进行静电防护设计的问题，有助于实现对静电敏感的新型材料集成电路的静电防护。

本发明授权一种集成电路的静电防护方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的静电防护方法，其特征在于，通过静电防护电路对集成电路进行静电防护，该方法包括： 提供第一芯片，将所述集成电路布设于所述第一芯片上，所述集成电路包括输入端口； 提供第二芯片，将所述静电防护电路布设于所述第二芯片上，所述静电防护电路包括输入接出端口、第一二极管、第二二极管、N型场效应管、电容以及地端接出端口，其中，所述输入接出端口包括第一输入接出端口和第二输入接出端口，所述第二输入接出端口通过所述第一二极管正极与所述第一输入接出端口相连，所述第一二极管负极通过所述电容第一端与所述N型场效应管漏极相连，所述N型场效应管栅极与所述电容第二端相连，源极与所述地端接出端口相连，所述地端接出端口接地，所述第二二极管负极与所述第一二极管正极相连，正极与所述地端接出端口相连； 将所述第一输入接出端口与所述集成电路输入端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护； 所述第一芯片为碳基芯片，所述第二芯片为硅基芯片。

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