长江存储科技有限责任公司肖梦获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111238380.9，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件是由肖梦;刘隆冬;吴建中;长江设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括：提供停止层，以及位于所述停止层上的堆栈层，所述停止层在背离所述堆栈层的一侧具有凸起结构；形成贯穿所述堆栈层并延伸至所述停止层内的栅缝隙结构，且所述栅缝隙结构的底部在所述停止层上的正投影位于所述凸起结构内。本发明能够降低共源极层与栅极层之间的漏电风险，提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 在基底中形成凹槽； 于所述基底上形成停止层，一部分的所述停止层填充所述凹槽，以在所述凹槽中形成凸起结构，另一部分的所述停止层位于所述凹槽外的所述基底上； 形成位于所述停止层上的堆栈层，所述堆栈层位于所述停止层背离所述凸起结构的一侧； 形成存储沟道结构，所述存储沟道结构贯穿所述堆栈层以及另一部分所述停止层并延伸至所述基底内，所述存储沟道结构包括沟道层； 形成贯穿所述堆栈层并延伸至所述停止层内的栅缝隙结构，且所述栅缝隙结构的底部在所述停止层上的正投影位于所述凸起结构内； 去除整个所述基底；其中，在去除所述基底的过程中，所述停止层位于所述基底与所述堆栈层之间且隔离所述基底与所述堆栈层以及所述栅缝隙结构； 在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，所述共源极层覆盖所述停止层，还与所述沟道层接触且连接。
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