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龙图腾网获悉中山大学申请的专利基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114039594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111214354.2，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路及方法是由李锡铭;虞志益;金星;尹宁远设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SOT‑MTJ的非易失布尔逻辑运算电路，包括MTJ写电路模块、MTJ逻辑树模块和预充电放大器模块，所述MTJ写电路模块用于给各个所述SOT‑MTJ写入一个MTJ状态，所述MTJ状态包括平行态和反平行态；所述MTJ逻辑树模块用于根据所述MTJ状态控制各所述SOT‑MTJ连接成的电路的电阻值的大小；所述预充电放大器模块用于根据所述电阻值的大小，输出所述MTJ状态对应的布尔逻辑结果。本发明通过给MTJ逻辑树模块中的SOT‑MTJ写入MTJ状态，控制SOT‑MTJ的电阻值，根据SOT‑MTJ连接成的电路的电阻值的大小输出布尔逻辑结果，且SOT‑MTJ的电阻值不会因为掉电而丢失，实现了非易失的布尔逻辑；由于SOT‑MTJ的小尺寸设计，且兼容CMOS工艺，实现了小尺寸器件的存内计算架构。本发明可广泛应用于电子技术领域。

本发明授权基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路，其特征在于，包括： MTJ写电路模块，用于给各个所述SOT-MTJ写入一个MTJ状态，所述MTJ状态包括平行态和反平行态； MTJ逻辑树模块，用于根据所述MTJ状态控制各所述SOT-MTJ连接成的电路的电阻值的大小； 预充电放大器模块，用于根据所述电阻值的大小，输出所述MTJ状态对应的布尔逻辑结果； 其中，所述MTJ逻辑树模块通过第一拓扑结构实现，所述第一拓扑结构包括第一SOT-MTJ、第二SOT-MTJ、第三SOT-MTJ、第四SOT-MTJ、第五SOT-MTJ和第七NMOS管，所述第一SOT-MTJ的读端口与所述预充电放大器模块中的第五NMOS管的源极连接，所述第一SOT-MTJ的写端口与所述第二SOT-MTJ的读端口连接，所述第二SOT-MTJ的写端口与所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的漏极与所述第四SOT-MTJ的写端口连接，所述第七NMOS管的漏极还与所述第五SOT-MTJ的写端口连接，所述第五SOT-MTJ的读端口与所述第四SOT-MTJ的读端口连接，所述第五SOT-MTJ的读端口与所述第三SOT-MTJ的写端口连接，所述第三SOT-MTJ的读端口与所述预充电放大器模块中的第六NMOS管的源极连接，所述第七NMOS管的栅极的输入信号为第二使能信号，所述第二使能信号用于控制MOS管的通断。

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