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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010761579.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备是由全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该电容器结构包括半导体基底，半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫，下电极的底部位于焊垫上。至少一层下支撑件和上支撑件设置于下电极的侧壁之间，下电极的厚度自下电极的顶端向下均匀分布。存储器包括半导体电容器结构。电子设备包括存储器。该制造方法包括：在半导体基底上形成第一叠层和第二叠层。刻蚀第二、第一叠层，以形成穿过下支撑层的凹槽并回填。刻蚀第二、第一叠层，从而形成电容孔，进而形成下电极。基于凹槽进行刻蚀，以形成上支撑件和下支撑件。本公开创新地在沉积下电极前进行支撑层刻蚀工序，解决了常规技术在后刻蚀支撑层时产生的损伤下电极等问题。

本发明授权半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体电容器结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，在所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫； 在所述半导体基底上方依次形成至少一个第一叠层和至少一个第二叠层；其中，所述第一叠层包括下模制层和下支撑层，所述第二叠层包括上模制层和上支撑层； 依次刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层，以形成穿过所述上支撑层和所述下支撑层的至少一个凹槽； 利用与所述下模制层或所述上模制层相同的材料填充满所述凹槽； 再次刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层，从而形成电容孔，进而露出各焊垫； 在各所述电容孔内形成下电极； 去除所述下模制层和所述上模制层，以形成至少一层上支撑件和至少一层下支撑件； 再次刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层的过程包括： 在所述第二叠层上部依次形成硬掩模层和光刻胶层； 根据要形成的电容孔图形图案化所述光刻胶层； 以经图案化后的光刻胶层为掩模刻蚀所述硬掩模层，从而形成节点孔掩模； 基于所述节点孔掩模再次刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层。

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